Исследовали-исследовали британские учёные и доисследовались. Правда, на этот раз они выдали не какой-то забавный факт, не особенно относящийся к науке, а весьма нужное изобретение.
Ученые исследовали возможность использования оксида кремния в светодиодах, обратили внимание на нестабильность параметров пленки оксида и принимаемые ей два состояния, и вуаля — память в 1000 раз эффективнее и в 100 раз быстрее флеш-памяти создана.
Новинка относится к типу ReRAM, резистивной памяти с произвольным доступом. Она является энергонезависимой, сохраняя свое состояние и после отключения питания. Работы над разработкой данного типа памяти ведутся уже давно. Например, в начале этого года компания Elpida похвалилась созданным прототипом. Конкретно эта британская разработка отличается новой структурой ячейки памяти, с более эффективным переключением из одного состояния в другое.
Созданная учеными университетского колледжа Лондона память обладает и еще одним полезным свойством. Ей можно придавать форму тонких прозрачных пленок, которые, к примеру, можно внедрить в сенсорные экраны. Естественно, говорить о серийном выпуске данной разработки пока еще рано, этого не знают и сами ее инвесторы.
Комментарии